В КНР создали сверхбыструю флэш-память

Исследователи из Университета Фудань в Шанхае (Китай) продемонстрировали сверхбыструю флэш-память. Устройство получило название PoX.

Отметим, что флэш-память способна обрабатывать данные всего за 400 пикосекунд, то есть за четыреста триллионных секунды. Подобной скорости до сих пор не удавалось достичь ни одному полупроводниковому ПЗУ из изобретенных ранее.

Добавим, что PoX способен выполнять 25 миллиардов операций в секунду. Такой показатель превышает предыдущий мировой рекорд для аналогичной технологии в 100 тысяч раз.

Подчеркнем, что существующие энергозависимые ЗУ вроде статической и динамической оперативной памяти обладают отличной скоростью, однако вся сохраненная информация при отключении питания теряется.

Энергонезависимые запоминающие устройства типа флэш-памяти сохраняют данные при отключении питания и потребляют меньше энергии, однако работают медленно.

Исследователи из Университета Фудань под руководством профессора Чжоу Пэна решили устранить разрыв в производительности накопителей. Для этого они переосмыслили физическую структуру флэш-памяти. При создании PoX ученые вместо кремния использовали графен – материал, обладающий высокой электропроводностью – и реализовали структуру зон Дирака. Для этого они внедрили механизм так называемой «суперинжекции», то есть практически неограниченный поток зарядов в запоминающий слой. С помощью него удалось снять ограничения на скорость, имевшиеся у энергонезависимой памяти на протяжении десятилетий.

Ранее в Китае разработали беспилотный летательный аппарат Rainbow-9 (Цайхун-9), оборудованный искусственным интеллектом. Он может преодолеть расстояние более 10 тыс. км.